A.M.U 原子质量数
ADI After develop inspection显影后检视
AEI 蚀科后检查
Alignment 排成一直线，对平
Alloy 融合：电压与电流成线性关系，降低接触的阻值
ARC： anti-reflect coating 防反射层
ASHER: 一种干法刻蚀方式
ASI 光阻去除后检查
Backside 晶片背面
Backside Etch 背面蚀刻
Beam-Current 电子束电流
BPSG: 含有硼磷的硅玻璃
Break 中断，stepper机台内中途停止键
Cassette 装晶片的晶舟
CD：critical dimension 关键性尺寸
Chamber 反应室
Chart 图表
Child lot 子批
Chip (die) 晶粒
CMP 化学机械研磨
Coater 光阻覆盖（机台）
Coating 涂布，光阻覆盖
Contact Hole 接触窗
Control Wafer 控片
Critical layer 重要层
CVD 化学气相淀积
Cycle time 生产周期
Defect 缺陷
DEP: deposit 淀积
Descum 预处理
Developer 显影液；显影（机台）
Development 显影
DG: dual gate 双门
DI water 去离子水
Diffusion 扩散
Doping 掺杂
Dose 剂量
Downgrade 降级
DRC: design rule check 设计规则检查
Dry Clean 干洗
Due date 交期
Dummy wafer 挡片
E/R: etch rate 蚀刻速率
EE 设备工程师
End Point 蚀刻终点
ESD: electrostatic discharge/electrostatic damage 静电离子损伤
ET: etch 蚀刻
Exhaust 排气（将管路中的空气排除）
Exposure 曝光
FAB 工厂
FIB: focused ion beam 聚焦离子束
Field Oxide 场氧化层
Flatness 平坦度
Focus 焦距
Foundry 代工
FSG: 含有氟的硅玻璃
Furnace 炉管
GOI: gate oxide integrity 门氧化层完整性
H.M.D.S Hexamethyldisilazane,经去水烘烤的晶片，将涂上一层增加光阻与晶片表面附着力的化合物，称H.M.D.S
HCI: hot carrier injection 热载流子注入
HDP：high density plasma 高密度等离子体
High-Voltage 高压
Hot bake 烘烤
ID 辨认，鉴定
Implant 植入
Layer 层次
LDD: lightly doped drain 轻掺杂漏
Local defocus 局部失焦因机台或晶片造成之脏污
LOCOS: local oxidation of silicon 局部氧化
Loop 巡路
Lot 批
Mask (reticle) 光罩
Merge 合并
Metal Via 金属接触窗
MFG 制造部
Mid-Current 中电流
Module 部门
NIT: Si3N4 氮化硅
Non-critical 非重要
NP: n-doped plus(N+) N型重掺杂
NW: n-doped well N阱
OD: oxide definition 定义氧化层
OM: optic microscope 光学显微镜
OOC 超出控制界线
OOS 超出规格界线
Over Etch 过蚀刻
Over flow 溢出
Overlay 测量前层与本层之间曝光的准确度
OX: SiO2 二氧化硅
P.R. Photo resisit 光阻
P1: poly 多晶硅
PA; passivation 钝化层
Parent lot 母批
Particle 含尘量/微尘粒子
PE: 1. process engineer; 2. plasma enhance 1、工艺工程师 2、等离子体增强
PH: photo 黄光或微影
Pilot 实验的
Plasma 电浆
Pod 装晶舟与晶片的盒子
Polymer 聚合物
POR Process of record
PP: p-doped plus(P+) P型重掺杂
PR: photo resist 光阻
PVD 物理气相淀积
PW: p-doped well P阱
Queue time 等待时间
R/C: runcard 运作卡
Recipe 程式
Release 放行
Resistance 电阻
Reticle 光罩
RF 射频
RM: remove. 消除
Rotation 旋转
RTA: rapid thermal anneal 迅速热退火
RTP: rapid thermal process 迅速热处理
SA: salicide 硅化金属
SAB: salicide block 硅化金属阻止区
SAC: sacrifice layer 牺牲层
Scratch 刮伤
Selectivity 选择比
SEM：scanning electron microscope 扫描式电子显微镜
Slot 槽位
Source-Head 离子源
SPC 制程统计管制
Spin 旋转
Spin Dry 旋干
Sputter 溅射
SRO: Si rich oxide 富氧硅
Stocker 仓储
Stress 内应力
STRIP: 一种湿法刻蚀方式
TEOS – (CH3CH2O)4Si 四乙氧基硅烷/正硅酸四乙酯，常温下液态。作LPCVD /PECVD生长SiO2的原料。又指用TEOS生长得到的SiO2层。
Ti 钛
TiN 氮化钛
TM: top metal 顶层金属层
TOR Tool of record
Under Etch 蚀刻不足
USG: undoped 硅玻璃
W (Tungsten) 钨
WEE 周边曝光
Yield 良率

FICD: Final CD 指的是刻蚀后的最终cd

DICD: Development Inspection CD 指的是光刻显像、目检后的cd

[COB] Chip-On-Board 板上连接式芯片

[COF] Chip-on-Flexible 柔性板上芯片

[COG] Chip On Glass 玻璃衬底芯片，玻璃基芯片, 玻璃上芯片

[TCP] Tape Carrier Packages 载带式封装

[TCP] Test Coordination Procedure 测试协调程序

[TCP] Transformer-Coupled Plasma 变换耦合等离子

[TCP] Transmission Control Protocol 传输控制协定

[TCP] Transport Control Protocol (DOD, IP) 传送控制协议

晶圆级芯片封装(Wafer Level Chip Scale Package